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IR推出新型330W 隔離式DC

更新時間: 2019-01-07
閱讀量:2025

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商——國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日推出針對IR2086S DC總線轉(zhuǎn)換器控制IC及DirectFET功率MOSFET芯片組的參考設(shè)計IRDC2086-330W。

    該款參考設(shè)計簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48V輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。IRDC2086-330W是一款工作效率高達97%的48V至9.6V (35A)非穩(wěn)壓DC總線轉(zhuǎn)換器,體積比業(yè)界標準的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外,IRDC2086-330W將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆IC及14顆場效應(yīng)管減少到一顆IC和8顆場效應(yīng)管。

   新款參考設(shè)計的芯片組包括IR2086S初級全橋控制IC和8顆功率轉(zhuǎn)換MOSFET,其中4顆IRF6646 80V DirectFET初級MOSFET,4顆IRF6635 30V DirectFET次級同步MOSFET。小型MOSFET(采用SO-8封裝的IRF7830 80V MOSFET)用于偏置開關(guān)和次級箝位(2顆IRF6621 30V小罐式DirectFET MOSFET)。

   IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示:“IR在IR2086S控制IC上使用的高壓IC技術(shù)與一流的DirectFET MOSFET封裝技術(shù)配合,可使溫度比標準方案降低40°C,從而增加系統(tǒng)的可靠性。”

   IR2086S全橋式控制器在高頻率(可高達500kHz)下工作,可利用一個集成的軟啟動電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%,以限制啟動時的電流沖擊,并在整個啟動過程保持高側(cè)和低側(cè)MOSFET的脈寬相等。

   新款參考設(shè)計包括完整的IRDC2086-330W電路板,以及存有用戶指南、數(shù)據(jù)資料、PCB文件(Gerber、 .dxf、.cad)及應(yīng)用說明書等資料的CD光盤。此外,用戶還可以到http://mypower.irf.com登記使用免費的myPOWER網(wǎng)絡(luò)設(shè)計工具,選擇更適合需要的MOSFET。 ![]

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