近期，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際在內(nèi)的晶圓代工廠(chǎng)以及都加快了產(chǎn)能擴(kuò)張，特別是在28nm工藝方面。

英銳恩單片機(jī)工程師介紹，汽車(chē)芯片、顯示驅(qū)動(dòng)器IC、電源管理芯片、WiFi6和其他網(wǎng)絡(luò)芯片解決方案，以及用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備應(yīng)用的連接IC，都需要28納米工藝制造。28納米晶圓可以提高制造效率和降低成本，由于供貨緊張，相關(guān)芯片供應(yīng)商已經(jīng)在代工廠(chǎng)排隊(duì)尋求更多產(chǎn)能支持。

在相關(guān)政策的激勵(lì)下，中芯國(guó)際將在其深圳建設(shè)一座新的12英寸晶圓廠(chǎng)，總投資額為23.5億美元。目前，新晶圓廠(chǎng)的建設(shè)已經(jīng)開(kāi)始，新晶圓廠(chǎng)將配備28nm和更先進(jìn)的工藝制造工具，2022年正式投產(chǎn)。

同樣著眼于28nm工藝制造的巨大需求，臺(tái)積電已披露計(jì)劃在其位于南京的12英寸晶圓廠(chǎng)建設(shè)28nm工藝產(chǎn)能，耗資約28.9億美元。臺(tái)積電南京晶圓廠(chǎng)主要采用16nm FinFET工藝技術(shù)制造芯片。

另外，中芯國(guó)際和臺(tái)積電預(yù)計(jì)到2023年將有額外的28納米工藝產(chǎn)能上線(xiàn)。聯(lián)電方面，計(jì)劃在2021年將28nm工藝產(chǎn)能擴(kuò)大20%，并在2022年再擴(kuò)大20%。

聯(lián)電此前公布計(jì)劃在其位于臺(tái)灣南部的300毫米Fab12A的六期設(shè)施進(jìn)行一項(xiàng)1000億新臺(tái)幣（35.8億美元）的擴(kuò)建項(xiàng)目，該設(shè)施將配備28納米工具，其工藝設(shè)備可以靈活地生產(chǎn)更小的14納米工藝。據(jù)代工廠(chǎng)稱(chēng)，擴(kuò)建后的聯(lián)電P6工廠(chǎng)將于2023年第二季度投入生產(chǎn)。