世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V)，導(dǎo)電損耗可比同類解決方案減少30%。

單個(gè)采用SO-8封裝的IRF6648，性能可與兩個(gè)并聯(lián)的同類增強(qiáng)型SO-8器件相媲美。IRF6648最適用于電信及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。

如果將IRF6648用于48V輸入、12V輸出的240W隔離式轉(zhuǎn)換器的次級(jí)，功率密度可由每平方英寸72W增加15%。這完全歸功于IR DirectFETMOSFET 封裝技術(shù)具有的良好散熱設(shè)計(jì)和雙面冷卻能力。

IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富指出：“我們擴(kuò)展了中壓DirectFET MOSFET產(chǎn)品系列，這使得電源設(shè)計(jì)人員可以有更多的器件選擇去改善隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)和次級(jí)插槽的性能。”

“IRF6648是一種多功能器件，可用于36V到75V輸入的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的次級(jí)同步整流插槽、初級(jí)半橋及全橋隔離式DC-DC總線轉(zhuǎn)換器、24V輸入初級(jí)正向有源箝位電路和48V輸出AC-DC有源ORing系統(tǒng)。”

IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利，它集中了標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不具備的一系列設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。其中的金屬罐構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能，使用以驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加了一倍。另外，DirectFET封裝的器件均符合“電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令”（RoHS）的要求。

IRF6648 DirectFET MOSFET現(xiàn)已供貨。產(chǎn)品基本規(guī)格如下：

產(chǎn)品編號(hào)封裝VDSS (V)VGS＝10V下的最大RDS（on）典型Qg(nC)典型Qgd (nC) IRF6648 DirectFET MN 60 7mΩ 36 14
IR還提供以下設(shè)計(jì)工具和應(yīng)用指南：
AN-1035 –DirectFET MOSFET電路板安裝指南
AN-1050 –DirectFET MOSFET物料及實(shí)際應(yīng)用
AN-1059 –DirectFET MOSFET 的熱模型和特性

此外設(shè)計(jì)人員還可以訪問(wèn)IR的DirectFET網(wǎng)上搜索中心，進(jìn)一步了解如何利用DirectFET器件的獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)及其如何增強(qiáng)電氣和熱性能的信息。